了以集成电路为核心的微电子产业的迅猛发展。
第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)等为主,磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件,砷化镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。
而以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料则有效推动着半导体照明、显示、电力汽车等产业的发展。
从半导体材料的三项重要参数看,第三代半导体材料在电子迁移率(低压条件下的高频工作性能)、饱和漂移速率(高压条件下的高频工作性能)、禁带宽度(器件的耐压性能、最高工作温度与光学性能)三项指标上