铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能:前言
日期:2012-04-18 09:31

关 键 词:铜,钨,复合镀层,电沉积,工艺,性能
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内容:
摘要:采用复合电沉积的方法,通过在镀铜液中加入直径为1~3μm的钨颗粒,在纯铜表面制备了铜_钨复合镀层。研究了镀液中钨质量浓度、阴极电流密度、搅拌速率、镀液温度等工艺参数对镀层中钨质量分数的影响,测定了复合镀层的显微硬度和接触电阻。得到了复合电沉积的最优工艺为:钨质量浓度35g/L,电流密度4 A/dm2,搅拌强度600 r/min,温度50℃。所得铜―钨复合镀层具有合适的显微硬度(98.5~112.0 HV)、稳定且较低的接触电阻及较长的电接触寿命,可以取代AgCdO触
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