日期:2012-04-18 09:31
关系Figure 4 Relationship between bath temperature and massfraction of tungsten in deposit综合以上分析，确定最佳工艺参数为：镀液中钨颗粒的质量浓度35 g／L，阴极电流密度4 A／dm2，搅拌速率600 r／min，温度50℃。铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：前言铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：实验铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：结果与讨论(二)铜一钨复合镀层电沉积工艺及其性能：结论
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