氧化铟锡ITO靶材 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料
透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9。
ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右,最好可达5*10E-5,已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征ITO的导电性能,其透过率则可达90%以上,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制,增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率,通常SnO2: In2O3=1:9,因为氧化锡之厚度超过200时,通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如果是电流平行流经ITO膜层的情形,其中d为膜厚,I为电流,L1为在电流方向上膜厚层长度,L2为在垂直于电流方向上的膜层长度,当电流
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09/29 20:33