日期:2012-04-14 16:14
专利号(申请号)：200810019472.6
公开（公告）号：CN101298697
公开( 公告)日：2008-11-05
申请日：2008-01-18
申请（专利权）人：合肥工业大学
页 数：8
摘要：
本发明公开了一种用于制备Ag2Te薄膜或纳米线阵列的电镀液，特征在于其为含有 AgNO3和HTeO2+的水溶液，其中[AgNO3]∶[HTeO2+]＝1∶5，[HTeO2+]＝0.1～1M，电镀液的pH值用HNO3调为0.5～1.5。本发明的电镀液可以在室温下快速、安全地实现Ag2Te的大量沉积，所得单晶质量高。