日期:2012-04-14 10:50
专利号(申请号)：200810038106.5
公开（公告）号：CN101320701
公开( 公告)日：2008-12-10
申请日：2008-05-27
申请（专利权）人：秦拓微电子技术（上海）有限公司;张健欣;许崇龙
页 数：7
摘要：
本发明揭示了一种先进的芯片尺寸封装技术中铜凸柱的新制备方法，重点包括：1.选用合适的材料做掩膜制具，该掩膜制具具有较高的机械强度、抗弯强度、化学惰性及良好的绝缘性能。2.根据集成电路(IC)的封装要求，制备形成铜凸柱的通孔，并做小角度的倒角。3.该掩膜制具含有套刻标记，可与集成电路晶圆光刻对准。在使用时，该掩膜制具被紧密贴放